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              基礎(chǔ)信息Product information
              產(chǎn)品名稱:

              半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC測(cè)試系統(tǒng)

              產(chǎn)品型號(hào):HC-TSDC

              廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家

              所在地:北京市

              更新日期:2026-02-06

              產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

              半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC測(cè)試系統(tǒng)熱刺激去極化電流(TSDC)技術(shù)用于預(yù)測(cè)EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過(guò)程,在該過(guò)程中,電介質(zhì)樣品暴露在高電場(chǎng)強(qiáng)度和高溫環(huán)境下。在這種情況下,電荷被分離并在介電材料電子元件中移動(dòng)。

              產(chǎn)品特性Product characteristics
              品牌華測(cè)

              半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC測(cè)試系統(tǒng)

              價(jià)格僅供參考,如需獲取更詳盡的產(chǎn)品技術(shù)規(guī)格書、定制方案或應(yīng)用案例,歡迎致電我司技術(shù)工程師


              半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC測(cè)試系統(tǒng)由華測(cè)儀器生產(chǎn),高壓TSDC熱刺激電流測(cè)試系統(tǒng)用于預(yù)測(cè)EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過(guò)程,在該過(guò)程中,電介質(zhì)樣品暴露在高電場(chǎng)強(qiáng)度和高溫環(huán)境下。在這種情況下,電荷被分離并在介電材料電子元件中移動(dòng)。TSDC是一種研究電荷存儲(chǔ)特性的試驗(yàn)技術(shù),用于確定初始電荷和捕獲電荷的活化能以及弛豫。


              產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

              除去電網(wǎng)諧波對(duì)采集精度的影響

              在高阻、弱信號(hào)測(cè)量過(guò)程中、輸入偏置電流和泄漏電流都會(huì)引起測(cè)量誤差。同時(shí)電網(wǎng)中大量使用變頻器等高頻、高功率設(shè)備,將對(duì)電網(wǎng)造成諧波干擾。以致影響弱信號(hào)的采集,華測(cè)儀器公司推出的抗干擾模塊以及測(cè)試分析技術(shù),實(shí)現(xiàn)了高達(dá)1fA(10-15A)的測(cè)量分辨率,從而滿足了很多半導(dǎo)體,功能材料等器件的測(cè)試需求。

              除去不規(guī)則輸入的自動(dòng)平均值功能

              自動(dòng)平均值是檢測(cè)電流的變化,并自動(dòng)將其進(jìn)行平均化的功能,在查看測(cè)量結(jié)果的同時(shí)不需要改變?cè)O(shè)置。通過(guò)自動(dòng)排除充電電流的過(guò)渡響應(yīng)時(shí)或接觸不穩(wěn)定導(dǎo)致偏差較大。電流輸入端口采用大口徑三軸連接器。


              產(chǎn)品參數(shù)

              溫度范圍:-100~300°C

              控溫精度:±0.25°C

              升溫斜率:10℃/min(可設(shè)定)

              測(cè)試頻率:電壓上限:±10kV

              加熱方式:空氣加熱

              降溫方式:液氮

              樣品尺寸:φ≤50mm,d≤3mm

              電極材料:黃銅

              夾具輔助材料:99氧化鋁陶瓷/peek

              低溫制冷:液氮

              測(cè)試功能:TSDC

              數(shù)據(jù)傳輸:RS-232


              半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC測(cè)試系統(tǒng)




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