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              熱敏效應(yīng)及應(yīng)用(二)

              日期:2020-08-20瀏覽:2415次

                PTC 熱敏陶瓷
               
                1950年荷蘭Hayman等人,在BaTiO3材料中摻入微量元素,如Sb,La,Sm,Gd,Ho等,其常溫電阻率下降到10-2~104cm。與此同時(shí)當(dāng)溫度超過(guò)材料的居里溫度,在幾十度溫度范圍內(nèi),其電阻率增大4~10個(gè)數(shù)量級(jí),即產(chǎn)生所謂PTC效應(yīng)。
               
                BaTiO3是一種典型的鈣鈦礦結(jié)構(gòu)。BaTiO3系半導(dǎo)體陶瓷的制造方法與一般的電子陶瓷材料基本相同。只是對(duì)原材料的純度、摻雜成分的均勻性及工藝過(guò)程的控制有較高的要求。持別是BaTiO3半導(dǎo)體陶瓷與金屬銀電極的接觸面電阻可高達(dá)103Ω,并有整流特性,故一般采用鍍鎳電極等,形成良好的歐姆接觸。用BaTiO3制成的PTC熱敏電阻器,其電阻率-溫度(ρ-T)特性如圖4.2-26所示;此外還有靜態(tài)伏安特性;電流-時(shí)間特性和耐電壓特性等。與熱效應(yīng)有關(guān)的參數(shù)有耗散系數(shù)、熱時(shí)間常數(shù)和熱容量。
               
                圖4.2-26BaTiO3系PTC熱敏陶瓷的電阻率-溫度(ρ-T)特性曲線示意圖
               
                為了制造性能優(yōu)良的PTC熱敏電阻,首先是使BaTiO3半導(dǎo)化,其途徑有兩條:①摻入施主雜質(zhì),選擇化合價(jià)高于Ba2+的元素取代Ba2+位,如La3+等,或者選擇化合價(jià)高于Ti4+的元素取代Ti4+,如Nb5+等,無(wú)論那種情況都在禁帶中形成施主能級(jí),使BaTiO3成為n型半導(dǎo)體;②材料在還原氣氛中燒結(jié),使之產(chǎn)生氧缺位,因之在禁帶中產(chǎn)生施主能級(jí),在室溫下形成n型電導(dǎo);另外,在配料中引入適量的Al203、SiO2、TiO2,這種AST玻璃相可以吸附或吸收原料中帶入的對(duì)半導(dǎo)化有害的雜質(zhì),降低材料電阻率。在原料不純的條件下,還可通過(guò)適當(dāng)縮短zui高燒結(jié)溫度、保溫時(shí)間、快速降溫與階段保溫相結(jié)合等方法,在一定程度上降低材料電阻率。
               
                BaTiO3材料的居里溫度為120℃,電阻率-溫度特性在居里溫度發(fā)生突變,由于PbTiO3,鐵電材料的居里溫度約為500℃,故加入PbO可以提高居里溫度,理論上可在120~ 500℃之間調(diào)節(jié)。同理加入Sr2+、Sn4+、Zr4+等離子,可使居里溫度向低溫移動(dòng)。Pb2+、Sr2+等離子都叫居里點(diǎn)移峰劑。
               
                關(guān)于BaTiO3半導(dǎo)瓷的PTC效應(yīng)至今沒有一種成熟的理論解釋,但是單晶材料沒有PTC效應(yīng),可見BaTiO3半導(dǎo)瓷的PTC效應(yīng)是晶界邊界效應(yīng)作用的結(jié)果。Heywang(海旺)假設(shè)在施主摻雜BaTiO3半導(dǎo)體陶瓷的晶粒邊界處存在著二維受主型表面態(tài),這些表面態(tài)與晶界內(nèi)載流子相互作用,從而在晶粒表面產(chǎn)生勢(shì)壘層,這個(gè)表面勢(shì)全層的能帶如圖4.2-27所示。在耗盡假設(shè)的前提下,由泊松方程推得其勢(shì)壘高度為
               
                式中,nD是施主濃度;b是耗盡層厚度;ε0是真空介電常數(shù);ns是表面電荷密度。圖中Ec是導(dǎo)帶底,EF是費(fèi)米能級(jí)。由式可見ψ0與εeff是相關(guān)的,但在居里溫度以下,εeff高達(dá)10000左右,ψ0很低,但在居里溫度以上時(shí),由于介電常數(shù)按居里-外斯定律下降,所以ψ0就隨之升高。另外,在居里溫度以下時(shí),由于產(chǎn)生自發(fā)極化,表面電荷被極化強(qiáng)度的垂直分量所補(bǔ)償,使有效ns大幅度下降,使ψ0隨之大幅度下降;而在居里溫度以上時(shí),自發(fā)極化消失,因此有效的ns 增多,ψ0進(jìn)一步增高,故電阻率急驟上升。
               
              圖4.2-27半導(dǎo)體陶瓷的晶粒邊界處勢(shì)壘層的能帶示意圖
               
                海旺模型雖較為成功地解釋了PTC效應(yīng),但有些實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象還解釋不了。Deniels(丹尼爾斯)等人又提出了晶粒表面鋇缺位高阻層模型,但仍有它的局限性。
               
                PTC熱敏電阻主要用于溫度傳感器、溫度補(bǔ)償、過(guò)熱過(guò)電流保護(hù)、時(shí)間延遲元件、自動(dòng)消磁、馬達(dá)啟動(dòng)器和加熱器等。
               

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